講演情報
[9a-C213-9]半導体超格子-THz共振器の結合構造のデザインと素子作製
〇前田 凪1、宮崎 英樹2、間野 高明2、柴田 憲治3、黒山 和幸1、平川 一彦1 (1.東大生研、2.NIMS、3.東北工大)
キーワード：
半導体超格子、ブロッホ振動
半導体超格子を用いたブロッホ発振素子は、低・高電界ドメイン形成が問題となり未だ実現されていない。本講演では、Kroemerが提案したTHz交流電界による低・高電界ドメイン抑制理論の実証に向けて、Au/ポリイミド/Au THz-MIM共振器にGaAs/Al0.4Ga0.6As半導体超格子を組み込み、共振器ギャップに閉じ込めたTHz電界を超格子へ局所印加する構造の設計および素子作製について報告する。