講演情報
[9a-C309-13]溶存酸素イメージセンサの応答特性安定化に向けた酸化イリジウム形成手法の検討
〇(M1)大谷 奏多1、石井 悠翔1、土井 英生1、堀尾 智子1、野田 佳子1、赤井 大輔1、飛沢 健1、崔 容俊1、高橋 一浩1、野田 俊彦1、澤田 和明1 (1.豊橋技科大)
キーワード：
溶存酸素センサ、CMOSセンサ、酸化イリジウム
本研究では、電位検出型CMOSアレイセンサ上に酸化イリジウム(IrOx)を形成した溶存酸素イメージセンサの応答特性の安定化に取り組んだ。IrOx形成条件を検討した結果、過酸化水素水による酸化処理に加えO2バブリング処理を導入することで未酸化Irを酸化でき、繰り返し計測時の応答変動を±5％以下に抑制し、溶存酸素応答特性の安定化を実現した。