[9a-C310-1~13] 6.4 薄膜新材料

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[9a-C310-6] 水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(11):
Pd担持Ti–Mg薄膜における反応機構と物性変化のMg組成比依存性

〇青山 実夢¹、山下 雄一郎^1,2、八木 貴志^1,2、白澤 徹郎^1,2、キム ミンソク¹、小口 有希¹、竹歳 尚之^1,2、重里 有三¹ (1.青学大理工、2.産総研)

キーワード：

Ti-Mg-H、調光ミラー材料、熱伝導率スイッチ