セッション詳細
[9a-C310-1~13]6.4 薄膜新材料
2026年9月9日(水) 9:00 〜 12:30
C310 (工学部 C棟)
[9a-C310-1]半導体的YH3のためのAlN-Ptパッシベーション膜としての特性評価
〇萱野 貴大1、中村 修3、花尻 達郎1,2 (1.東洋大院理工、2.バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター、3.九大シス情)
[9a-C310-2]LiHエピタキシャル薄膜への歪導入
〇齋藤 謙太1、福士 英里香1、大西 康生1、間嶋 拓也2、原田 尚之3、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工、2.京大院工、3.NIMS)
[9a-C310-3]水素化物エピタキシャル薄膜の物性設計に向けた計算化学的検討
〇大西 康生1、和田 望1、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工)
[9a-C310-4]ペロブスカイト水素化物のヒドリドイオン伝導高速化に向けた材料シミュレーション
〇(M2)和田 望1、福士 英里香1、大西 康生1、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工)
[9a-C310-5]水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱
物性制御薄膜の開発 (10):
電子支配型熱輸送からフォノン支配型への切り替え
〇重里 有三1 (1.青学大理工)
[9a-C310-6]水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(11):
Pd担持Ti–Mg薄膜における反応機構と物性変化のMg組成比依存性
〇青山 実夢1、山下 雄一郎1,2、八木 貴志1,2、白澤 徹郎1,2、キム ミンソク1、小口 有希1、竹歳 尚之1,2、重里 有三1 (1.青学大理工、2.産総研)
[9a-C310-7]水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(12):
電気化学的手法によるPd担持Y–Mg薄膜の熱伝導率変化とサイクル耐久性
〇長根 周星1、山下 雄一郎1,2、八木 貴志1,2、白澤 徹郎1,2、キム ミンソク1、小口 有希3、竹歳 尚之1,2、重里 有三1 (1.青学大理工、2.産総研、3.青学大理工分析センター)
[9a-C310-8]水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(13):
YMgHx薄膜の物性・構造変化速度の解析と反応機構の解明
〇村上 彰啓1、シュー ガイブン1、白澤 徹郎1,2、キム ミンソク1、鈴木 正1、重里 有三1 (1.青学大理工、2.産総研)
[9a-C310-9]水素化／脱水素化反応にともなう金属–半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(14):一般化有効媒質近似を用いたNi–MgHx薄膜の反応機構の解明
〇三野 大1、シュー ガイブン1、キム ミンソク1、鈴木 正1、重里 有三1 (1.青学大理工)
[9a-C310-10]水素化／脱水素化反応にともなう金属–半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(15):
NdNiO3薄膜の電気化学プロセスを用いた熱物性制御
〇岡本 晏1、山下 雄一郎1,2、八木 貴志1,2、キム ミンソク1、小口 有希3、竹歳 尚之1,2、重里 有三1 (1.青学大理工、2.産総研、3.青学大理工機器分析センター)
[9a-C310-11]WO3薄膜の透過率変化を用いた水素バリア膜の性能評価(3): 薄膜の物性が水素透過性に与える影響
〇栗原 大芽1、金 旼奭1、小口 有希2、岡島 敏浩3、重里 有三1 (1.青学大理工、2.青学大理工分析センター、3.あいちSR)
[9a-C310-12]α型,β型多結晶ならびにアモルファスのMoO3薄膜の還元着色に関する研究
〇馬渡 玲1、栗原 大芽1、金 旼奭1、賈 軍軍2、小口 有希3、重里 有三1 (1.青学大理工、2.早稲田大理工、3.青学大理工分析センター)
[9a-C310-13]酸素ガスバリア膜の定量評価に用いるa-IZO薄膜の最適化
〇浅沼 友貴奈1、栗原 大芽1、キム ミンソク1、小口 有希2、岡島 敏浩3、重里 有三1 (1.青学大理工、2.青学大理工分析センター、3.あいちSR)