[9a-C310-1~13] 6.4 薄膜新材料

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[9a-C310-8] 水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(13):
YMgH_x薄膜の物性・構造変化速度の解析と反応機構の解明

〇村上 彰啓¹、シュー ガイブン¹、白澤 徹郎^1,2、キム ミンソク¹、鈴木 正¹、重里 有三¹ (1.青学大理工、2.産総研)

キーワード：

Y-Mg合金薄膜、水素化／脱水素化反応速度、in-situ放射光X線回折