[9a-C310-1~13] 6.4 薄膜新材料

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[9a-C310-9] 水素化／脱水素化反応にともなう金属–半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(14):一般化有効媒質近似を用いたNi–MgH_x薄膜の反応機構の解明

〇三野 大¹、シュー ガイブン¹、キム ミンソク¹、鈴木 正¹、重里 有三¹ (1.青学大理工)

キーワード：

Ni-Mg合金薄膜、水素化/脱水素化反応、反応機構の解明