講演情報
[9a-E215-8]硫黄源の違いによる窒素ドープ単層カーボンナノチューブ合成への影響
〇北嶋 奨大1、藤森 利彦1,2、藤田 淳一1 (1.筑波大数理、2.住友電工)
キーワード：
カーボンナノチューブ、窒素ドーピング、直径
軽量導電性ワイヤーへの応用が期待される単層カーボンナノチューブ（SWCNT）は、金属型と半導体型の混合物であり電気伝導性に課題がある 。本研究では、窒素ドープSWCNTの細径化による導電性向上を目指し、異なる硫黄源（チオフェンとシクロペンタンチオール）を用いた合成実験を行った 。熱分解温度の低いシクロペンタンチオールを用いた場合、S/Fe比を変化させても平均直径が変化しない領域が存在することを見出した 。