[9a-E215-1~10] 17.1 成長・成膜・構造制御 | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.1 成長・成膜・構造制御

[9a-E215-1~10]17.1 成長・成膜・構造制御

2026年9月9日(水) 9:00 〜 11:45

E215 (総合教育棟 E棟)

座長：生野孝(東理大)

カーボンナノチューブおよびその他ナノカーボン材料の成長・分離技術、分光評価

9:00 〜 9:15

[9a-E215-1]単層カーボンナノチューブ成長における鉄族元素を含むハイエントロピー合金ナノ粒子の構成元素による影響

〇坂本陽向¹、カマルサラマ¹、才田隆広¹、向吉恵²、北川宏²、丸山隆浩¹ (1.名城大理工、2.京大院理)

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9:15 〜 9:30英語発表

[9a-E215-2]Growth of Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Optimizing the Composition Ratio of Ru–Ni Bimetallic Catalysts

〇(DC)MANA SELVARAJ¹, Kamal Prasad Sharma², Takahiro Saida^1,2, Takahiro Maruyama^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Meijo Nano Res.)

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9:30 〜 9:45

[9a-E215-3]APTESによる鉄触媒担持とCNTフォレスト合成

〇村上義直¹、中野貴之^1,2、井上翼¹ (1.静大院工、2.静大電研)

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9:45 〜 10:00英語発表

[9a-E215-4]FCCVD growth of vertically aligned SWCNTs using PtIr catalysts

〇Kamal Prasad Sharma^1,2, Takahiro Maruyama^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Nanomater. Res. Ctr.)

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10:00 〜 10:15

[9a-E215-5]カーボンナノチューブ浮遊触媒合成における収量・直径の支配因子同定

〇大塚慶吾¹、藤原隆二¹、丸山茂夫¹ (1.東大工)

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10:30 〜 10:45

[9a-E215-6]ビニルシラン熱CVD法によるCNTフォレスト内部への均一SiC成膜

〇(B)王家錦¹、大島直人¹、上原賢一^2,3、中井康夫⁴、福地直也⁴、安原重雄³、竹内和歌奈¹ (1.愛知工大、2.東北大、3.株式会社ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ、4.高圧ガス工業株式会社)

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10:45 〜 11:00

[9a-E215-7]熱CVD法によるIr触媒からのSWCNTの低温成長

〇森想真¹、カマルプラサドサラマ²、才田隆広^1,2、丸山隆浩^1,2 (1.名城大理工、2.名城大ナノマテ研)

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11:00 〜 11:15

[9a-E215-8]硫黄源の違いによる窒素ドープ単層カーボンナノチューブ合成への影響

〇北嶋奨大¹、藤森利彦^1,2、藤田淳一¹ (1.筑波大数理、2.住友電工)

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11:15 〜 11:30

[9a-E215-9]細径単層カーボンナノチューブ内包長鎖カーボンチェーンの振動モードにおける非調和性

〇丸山隆浩^1,2、奥村優作¹、香田彩佳¹、趙晨¹、才田隆広^1,2、中石旺甫³、森田秀³、長田実³、趙新洛¹ (1.名城大理工、2.名城大ナノマテ研、3.名大未来研)

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11:30 〜 11:45

[9a-E215-10]電磁吸収性ポリマー複合材料へ向けたカーボンマイクロコイルの寸法別分離

〇(M1)西幸紀¹、望月那生¹、今井太一¹、古川怜¹ (1.電通大基盤理工)

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