セッション詳細

[9a-E215-1~10]17.1 成長・成膜・構造制御

2026年9月9日(水) 9:00 〜 11:45
E215 (総合教育棟 E棟)

[9a-E215-1]単層カーボンナノチューブ成長における鉄族元素を含むハイエントロピー合金ナノ粒子の構成元素による影響

〇坂本 陽向1、カマル サラマ1、才田 隆広1、向吉 恵2、北川 宏2、丸山 隆浩1 (1.名城大理工、2.京大院理)

[9a-E215-2]Growth of Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Optimizing the Composition Ratio of Ru–Ni Bimetallic Catalysts

〇(DC)MANA SELVARAJ1, Kamal Prasad Sharma2, Takahiro Saida1,2, Takahiro Maruyama1,2 (1.Meijo Univ., 2.Meijo Nano Res.)

[9a-E215-3]APTESによる鉄触媒担持とCNTフォレスト合成

〇村上 義直1、中野 貴之1,2、井上 翼1 (1.静大院工、2.静大電研)

[9a-E215-4]FCCVD growth of vertically aligned SWCNTs using PtIr catalysts

〇Kamal Prasad Sharma1,2, Takahiro Maruyama1,2 (1.Meijo Univ., 2.Nanomater. Res. Ctr.)

[9a-E215-5]カーボンナノチューブ浮遊触媒合成における収量・直径の支配因子同定

〇大塚 慶吾1、藤原 隆二1、丸山 茂夫1 (1.東大工)

[9a-E215-6]ビニルシラン熱CVD法によるCNTフォレスト内部への均一SiC成膜

〇(B)王 家錦1、大島 直人1、上原 賢一2,3、中井 康夫4、福地 直也4、安原 重雄3、竹内 和歌奈1 (1.愛知工大、2.東北大、3.株式会社ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ、4.高圧ガス工業株式会社)

[9a-E215-7]熱CVD法によるIr触媒からのSWCNTの低温成長

〇森 想真1、カマル プラサド サラマ2、才田 隆広1,2、丸山 隆浩1,2 (1.名城大理工、2.名城大ナノマテ研)

[9a-E215-8]硫黄源の違いによる窒素ドープ単層カーボンナノチューブ合成への影響

〇北嶋 奨大1、藤森 利彦1,2、藤田 淳一1 (1.筑波大数理、2.住友電工)

[9a-E215-9]細径単層カーボンナノチューブ内包長鎖カーボンチェーンの振動モードにおける非調和性

〇丸山 隆浩1,2、奥村 優作1、香田 彩佳1、趙 晨1、才田 隆広1,2、中石 旺甫3、森田 秀3、長田 実3、趙 新洛1 (1.名城大理工、2.名城大ナノマテ研、3.名大未来研)

[9a-E215-10]電磁吸収性ポリマー複合材料へ向けたカーボンマイクロコイルの寸法別分離

〇(M1)西 幸紀1、望月 那生1、今井 太一1、古川 怜1 (1.電通大基盤理工)