[9a-E217-1~11] 13.9 化合物太陽電池

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[9a-E217-1] 完全濡れIn融液を前駆体とするMoO_x/Si基板上InP膜の結晶成長制御

〇松永 太陽¹、宇佐美 徳隆^1,2,3、勝部 涼司¹ (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大未来機構)

キーワード：

III-V族半導体、濡れ性、結晶成長

我々は、MoO_x/Si基板上においてIn融液の完全濡れ状態が実現でき、これを前駆体としてInP膜を形成できることを報告してきた。本講演では、熱処理条件がInP膜の表面均一性、結晶成長に及ぼす影響について調査した結果を報告する。りん化温度の違いによる核形成密度の差が結晶成長挙動に大きく影響することが示唆された。これらの結果を基に、高品質なInP膜形成に向けた成長条件の最適化について議論する。