[9a-E217-1~11] 13.9 化合物太陽電池

9:15 〜 9:30

[9a-E217-2] In添加によるMoO_x/Si基板上Ga融液の濡れ性向上とGaAs製膜への応用

〇勝部 涼司¹、橋本 昌樹¹、松永 太陽¹、宇佐美 徳隆^1,2,3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大未来機構)

キーワード：

濡れ性、溶液成長、III-V族半導体

MoOx上におけるIn融液の完全濡れ現象と合金融液における界面偏析現象に着目し，一部に剥離・液滴は見られるもののGa合金融液膜の構築を実現しました．さらにこれを前駆体とするGaAs on Siの製膜を試行しました．