講演情報
[9a-F211-7]微細化によるトランジスタ内部の層選択的・非対称電位トポロジー再編成
〇吹留 博一1、中村 晴登1、田高 大貴1、志賀 研仁1、山本 うらん1、何 樾1、町田 陽太郎2、長岡 竜之輔2、渡邊 一世3、小嗣 真人2 (1.東北大通研、2.東京理科大、3.NICT)
キーワード：
パーシステントホモロジー、デバイス微細化、高電子移動度トランジスタ
InGaAsを用いた高電子移動度トランジスタは、次世代無線通信の中核デバイスの一つである。InGaAs-HEMTの電位分布をパーシステントホモロジーを用いて解析した。その結果、微細化に伴い、キャップ層とチャネル層で層選択的かつソース・ドレイン非対称な電位トポロジー再編成が生じ、それがデバイス特性に大きく影響することを明らかにした。本成果は、トポロジカルな機械学習を用いて初めて得られた知見である。