講演情報
[9a-PA1-27]高温環境下におけるAuPd混合ナノギャップ電極のナノギャップスイッチ効果
〇杉本 紘基1、高月 輝1、塚越 一仁3、内藤 泰久2、菅 洋志1 (1.千葉工大、2.産総研、3.物材機構)
キーワード：
ナノギャップ、不揮発性メモリ、高温環境
ナノギャップ電極は高温動作可能な不揮発性メモリとして期待されている．本研究ではAu，PdおよびAuPd混合電極を作製し，高温環境下における電気特性を評価した．その結果，Au電極では200 ℃，Pd電極では500 ℃まで抵抗スイッチ動作が確認された．一方，Au:Pd＝3:7の混合電極では600 ℃においても動作が確認され，AuとPdの混合により高温動作特性が向上することが示された．