講演情報
[9a-PA2-1]第一原理計算によるシート状Siナノ材料の電子構造解析
〇(M1)金堂 真太郎1、有馬 健太1、稲垣 耕司1 (1.阪大院工)
キーワード：
Siナノシート、直接遷移、DFT
シート状Siナノ材料は、高い電子移動度と可変的なバンドギャップを有することから、次世代の電子および光デバイス材料として注目されている。本研究では、DFT計算を用いてSi原子層リボンの幅・厚さに伴うバンドギャップ変化を評価した。さらに表面状態の影響に着目し、片面OH終端Siナノシートのバンド構造を解析した。その結果、バンドギャップが間接遷移型から直接遷移型へ転移するメカニズムを明らかにし、表面制御によるSi光学特性向上の可能性を示した。