セッション詳細
[9a-PA2-1~9]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2026年9月9日(水) 9:00 〜 10:30
PA2 (第1体育館)
[9a-PA2-2]高アスペクト比 Si 構造の底部を対象とした非破壊表面評価法― ウェットエッチングを援用した大面積 Si トレンチ構造均一化の試み ―
〇川島 汰三1、村瀬 詩花1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
[9a-PA2-3]Improved Energy Storage Characteristics of Antiferroelectric ZrO2 Capacitors with a Sub-Nanometer TiO2 Interfacial Layer
〇(D)JunKai Lai1, JinEn Lin1, ChiAn Ho1, JerChyi Wang1,2,3 (1.Chang Gung Univ. for Chang Gung University, 2.Chang Gung Memorial Hospital, 3.Ming Chi Univ. of Tech. for Ming Chi University of Technology)
[9a-PA2-6]3C-SiC/4H-SiCヘテロ構造における層状欠陥を介した正孔輸送と 反転層の形成機構
〇下條 滉太1、畠山 哲夫1、櫻庭 政夫2、長澤 弘幸2,3 (1.富山県立大、2.東北大学通研、3.CUSIC)
