[9a-PA2-1~9] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[9a-PA2-8] フォスフォレンTFETにおける欠陥誘起リーク電流の統計的ばらつき

〇一色 凌¹、相馬 聡文¹ (1.神戸大院工)

キーワード：

デバイスシミュレーション、トンネル電界効果トランジスタ、フォスフォレン