講演情報
[9a-PB4-12]eclipsed型交互積層電荷移動錯体を用いた有機薄膜トランジスタ
〇鳥井 晴人5、森 健彦1,2、片桐 幸輔4、池田 茂3 (1.科学大、2.理研、3.甲南大理工・環エネ、4.甲南大理工・物化、5.甲南大院・自然（院生）)
キーワード：
電荷移動錯体、有機薄膜トランジスタ
eclipsed型交互積層型電荷移動錯体は、分子間引力作用により分子が完全に重なる配座を形成し、大きなトランスファー積分による良好なトランジスタ特性が期待される。本研究では、ドナーにN-TMB、アクセプターにBAまたはFAを用いたeclipsed型錯体を開発した。作製した(N-TMB)(BA)薄膜トランジスタは、真空下において移動度4.9×10⁻² cm²/Vsでp型半導体動作を示した。