講演情報
[9a-PB4-6]n型低分子有機半導体PhC2-BQQDI-C5を用いた
電気二重層トランジスタのESR研究
〇川久保 怜1、岡部 沙代1、坂口 泰基1、宗宮 若葉1、何 文皓1、岡本 翔1,2、下位 幸弘1,2、熊谷 翔平3、岡本 敏宏3、王 璞石4、亀山 亮平4、竹谷 純一4、丸本 一弘1,2,5 (1.筑波大院数物、2.筑波大量子スピン研、3.科学大物質理工、4.東大院新領域、5.筑波大エネ物質科学セ)
キーワード：
有機半導体、ESR、電気二重層トランジスタ
有機半導体は、大面積かつフレキシブルなデバイス材料として注目されている。しかし、電子輸送性（n型）有機半導体は、安定性や移動度などの性能が正孔輸送性（p型）よりも低く、さらなる材料開発が望まれている。近年、高い性能を持つn型有機半導体としてBQQDI骨格を持つ低分子材料が報告された。本研究では、非対称な側鎖を持ち、溶液プロセス性を高めたPhC2–BQQDI–C5 を連続エッジキャスト法により製膜し、作製した電気二重層トランジスタ（EDLT）の電荷状態のESR研究を行った。