講演情報
[9p-A21-4]SiC MOSFET反転層移動度の実効電界・遮蔽効果・温度依存性の分離評価
〇畠山 哲夫1、平井 悠久2、染谷 満2、岡本 光央2 (1.富山県立大、2.産総研)
キーワード：
SiC MOSFET、反転層移動度、ホール効果測定
SiC MOSFETの反転層移動度を支配する実効電界(Eeff)、遮蔽定数(qs)、温度(T)の依存性をホール効果測定により分離評価した。測定結果を各種散乱モデルと比較した結果、遮蔽依存性にはクーロン散乱が重要である一方、実効電界依存性および温度依存性には四重極子散乱に代表される短距離型散乱機構の寄与が示唆された。本手法はTCAD向け物理ベース移動度モデル構築に有用である。