2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[9p-A21-1~15]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年9月9日(水) 14:00 〜 18:00
A21 (情報研究棟)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[9p-A21-1]電子線照射がSiC MOSFETのチャネルとドリフト層に与える影響

〇(M1)小川 優人1、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[9p-A21-2]電子線照射がSiC-MOSキャパシタの界面特性に及ぼす影響

〇(M2)古谷 颯真1、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大学)
14:30 〜 14:45

[9p-A21-3]Hot-wire法で窒化したSiC / SiO2界面を有するSiC MOSFET

〇奥 友希1、西口 浩平1、戸塚 正裕1、中川 康幸1、渡辺 友勝1 (1.三菱電機)
14:45 〜 15:00

[9p-A21-4]SiC MOSFET反転層移動度の実効電界・遮蔽効果・温度依存性の分離評価

〇畠山 哲夫1、平井 悠久2、染谷 満2、岡本 光央2 (1.富山県立大、2.産総研)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[9p-A21-5]第一原理計算によるSiO2/SiC界面欠陥の特性評価：SiCバルク欠陥との比較

〇(D)岩本 蒼典1、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[9p-A21-6]4H-SiC伝導帯向け強束縛モデルに基づく反転層の電子状態計算

〇永溝 幸周1、森 伸也1 (1.阪大院工)
15:30 〜 15:45

[9p-A21-7]Fowler-Nordheimストレスを与えた4H-SiC(0001) MOSFETの伝導帯側界面準位の電流検出ESR分光観察

〇島袋 聞多1、安達 慧悟1、染谷 満2、平井 悠久2、渡部 平司3、梅田 享英1 (1.筑波大、2.産総研、3.大阪大)
15:45 〜 16:00

[9p-A21-8]多周波アドミタンス解析による4H-SiC MOSキャパシタのMartens型時定数評価

〇岡本 大1、染谷 満2 (1.富山県立大、2.産総研)
16:00 〜 16:15

[9p-A21-9]反応性大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCエッチング

〇山本 匠真1、ユ カブン1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[9p-A21-10]貼り合わせ基板を用いたSiC MOSFET内蔵pinダイオードの特性解析

〇(M2)馬場 智大1、矢野 裕司1、岩室 憲幸1 (1.筑波大学)
16:45 〜 17:00

[9p-A21-11]SiC JFET差動増幅回路の高温下における特性評価

〇渡邉 大輔1,2、松永 拓也1,2、山本 真幸1,2、梅沢 仁1、佐藤 隆英2、黒木 伸一郎3、田中 保宣1 (1.産総研、2.山梨大、3.広島大)
17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[9p-A21-12]SiC MOSFETにおけるオン抵抗成分解析と負荷短絡耐量への構造依存性の検討

〇(M1)内山 颯1、矢野 裕司1、岩室 憲幸1 (1.筑波大学)
17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[9p-A21-13]4H-SiC アクティブピクセルセンサの300℃高温動作

〇秦 佑輔1、目黒 達也1、武山 昭憲2、大島 武2、児島 一聡3、田中 保宣3、前田 知徳1,4、瀬崎 洋1,4、黒木 伸一郎1 (1.広島大RISE、2.量研、3.産総研、4.フェニテックセミコンダクター)
17:30 〜 17:45

[9p-A21-14]4H-SiC＜11-23＞方向における電子阻止断面積の注入原子番号依存性の予測

〇望月 和浩1、西村 智朗1、三島 友義1、堀切 文正1、太田 博1,2 (1.法政大、2.デバイズテック)
17:45 〜 18:00奨励賞エントリー

[9p-A21-15]単結晶4H-SiCを用いたアナログ動作ReRAMの実現と動作機構の検討

〇(M1C)高山 陽1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)
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