セッション詳細
[9p-A21-1~15]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2026年9月9日(水) 14:00 〜 18:00
A21 (情報研究棟)
座長:花房 宏明(広島大)、 金子 光顕(京大)
[9p-A21-7]Fowler-Nordheimストレスを与えた4H-SiC(0001) MOSFETの伝導帯側界面準位の電流検出ESR分光観察
〇島袋 聞多1、安達 慧悟1、染谷 満2、平井 悠久2、渡部 平司3、梅田 享英1 (1.筑波大、2.産総研、3.大阪大)
[9p-A21-11]SiC JFET差動増幅回路の高温下における特性評価
〇渡邉 大輔1,2、松永 拓也1,2、山本 真幸1,2、梅沢 仁1、佐藤 隆英2、黒木 伸一郎3、田中 保宣1 (1.産総研、2.山梨大、3.広島大)
[9p-A21-13]4H-SiC アクティブピクセルセンサの300℃高温動作
〇秦 佑輔1、目黒 達也1、武山 昭憲2、大島 武2、児島 一聡3、田中 保宣3、前田 知徳1,4、瀬崎 洋1,4、黒木 伸一郎1 (1.広島大RISE、2.量研、3.産総研、4.フェニテックセミコンダクター)
[9p-A21-14]4H-SiC<11-23>方向における電子阻止断面積の注入原子番号依存性の予測
〇望月 和浩1、西村 智朗1、三島 友義1、堀切 文正1、太田 博1,2 (1.法政大、2.デバイズテック)
