[9p-A22-1~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

16:30 〜 16:45

[9p-A22-10] 有効質量の非対角成分が2次元電子ガスの移動度に及ぼす影響

〇森 伸也¹、田中 一^1,2 (1.阪大院工、2.関学大工)

キーワード：

半導体、移動度

有効質量テンソルの非対角成分によって誘起されるサブバンド間遷移が2次元電子ガスの移動度に及ぼす影響を，久保公式に基づいて解析し，閉じ込めが弱い極限における挙動を調べた．その結果，閉じ込めが弱くなる極限においても，移動度が物理的に妥当な振る舞いを示すことを確認した．