2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[9p-A22-1~12]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2026年9月9日(水) 14:00 〜 17:15
A22 (情報研究棟)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[9p-A22-1]赤外近接場光によるSi系積層膜解析に向けた空間分解能実証

〇(D)小田原 遼河1、清水 康雄2、嵯峨 幸一郎2、河野 行雄1,3,4 (1.中央大学、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）、3.国立情報学研究所、4.神奈川県立産業技術総合研究所)
14:15 〜 14:30

[9p-A22-2]弱局在効果を用いた極低温温度計の開発と極低温におけるSiO2熱伝導率の測定

〇(M2)渡邉 一輝1、森田 路真1、吉永 啓人1、豊島 遼1、内田 建1 (1.東大工)
14:30 〜 14:45

[9p-A22-3]SiO2/水溶液界面における水構造とCa2+イオンの吸着効果

〇二本柳 聡史1,2、ソン ウーンモ2、田原 太平2、Preeti Gahtori3、Juli Gibbs3 (1.筑波大学、2.理研、3.アルバータ大学)
14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[9p-A22-4]Si(111)表面上Agナノワイヤ形成に向けた第一原理計算によるAg吸着機構解明

〇京田 晴菜1、Fitriana Syafira As Zahrah1、有馬 健太1、稲垣 耕司1 (1.阪大院工)
15:00 〜 15:15

[9p-A22-5]湿式異方性エッチングによる極薄Si層／SiO2構造上での階段構造の形成

〇(M2)宇野 瑞真1、橋本 龍人1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
15:15 〜 15:30英語発表

[9p-A22-6]Investigation of Schottky-Barrier MFSFETs with ferroelectric HfN thin film

〇KANGBAI LI1, HAORAN YAN1, HAOLIN WANG1, SHUN ICHIRO OHMI1 (1.Science Tokyo)
15:45 〜 16:00

[9p-A22-7]ゲート・オーバードライブVov起因のIDsatの長/短チャネル動作の遷移

〇執行 直之1、三浦 沖1 (1.熊本大学)
16:00 〜 16:15

[9p-A22-8]基板不純物が作るランダムポテンシャルを考慮した MOSFET における電子輸送モンテカルロシミュレーション

〇加藤 薫1、田中 一1,2、森 伸也1 (1.阪大院工、2.関学大工)
16:15 〜 16:30

[9p-A22-9]多モード半導体ナノシートにおけるラフネス散乱平均自由行程の数値計算

〇山田 雄太1、森 伸也1 (1.阪大院工)
16:30 〜 16:45

[9p-A22-10]有効質量の非対角成分が2次元電子ガスの移動度に及ぼす影響

〇森 伸也1、田中 一1,2 (1.阪大院工、2.関学大工)
16:45 〜 17:00

[9p-A22-11]物理情報ニューラルネットワークによる2次元半導体素子の順・逆問題解析

〇相馬 聡文1、植田 暁子2 (1.神戸大院工、2.産総研)
17:00 〜 17:15

[9p-A22-12]ナノシートFETにおけるシングルイベント効果のシミュレーション解析

〇(M1)Cierra Filbert Vanness1、鎌倉 良成1 (1.大阪工大情)
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