講演情報
[9p-A22-4]Si(111)表面上Agナノワイヤ形成に向けた第一原理計算によるAg吸着機構解明
〇京田 晴菜1、Fitriana Syafira As Zahrah1、有馬 健太1、稲垣 耕司1 (1.阪大院工)
キーワード：
Agナノワイヤ、第一原理計算、形成エネルギー
一次元金属ナノ構造であるAgナノワイヤは，高い導電性および熱伝導性を有し，ナノ配線材料として注目されている．我々はステップ/テラス構造を有するSi(111)表面上へのAgナノワイヤ形成を目指している．本報告では，第一原理計算によりAg吸着構造を解析し，化学ポテンシャルおよび電子授受を考慮した形成エネルギーに基づいて，その熱力学的安定性を評価した結果を示す．