[9p-A33-1~16] 17.3 応用技術

17:15 〜 17:30

[9p-A33-13] TaO_x/TaS₂ヘテロ構造を用いた抵抗変化メモリの開発

〇金澤 陸磨¹、稲田 貢¹、上野 啓司²、山本 真人¹ (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)

キーワード：

二硫化タンタル、抵抗変化メモリ、酸化タンタル