2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 応用技術

[9p-A33-1~16]17.3 応用技術

2026年9月9日(水) 14:00 〜 18:15
A33 (情報研究棟)
14:00 〜 14:15

[9p-A33-1][第60回講演奨励賞受賞記念講演] multi-AI agentとロボット技術を統合した二次元半導体の作製・評価

〇出原 渉1、麻生 浩平2、高村(山田) 由起子2、大島 義文2、渡邊 賢司3、谷口 尚3、俣野 眞一朗1、松田 一成1 (1.京大エネ研、2.北陸先端大、3.物質・材料研究機構)
14:15 〜 14:30

[9p-A33-2]外部電界制御による二次元反強磁性デバイスにおける磁気注入電流操作

〇朝田 秀一1、俣野 眞一朗1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、丸山 実那3、高 燕林3、岡田 晋3、松田 一成1 (1.京大エネ研、2.物質・材料研究機構、3.筑波大　数理物質系)
14:30 〜 14:45

[9p-A33-3]表面弾性波を用いた WSe2光電流デバイスにおけるキャリア輸送変調

〇神澤 英寿1、高橋 悠太1、熊崎 基1、渡邉 紳一1、藤井 瞬1 (1.慶大理工)
14:45 〜 15:00英語発表

[9p-A33-4]Evaluation of Highly Stretchable Substrates for Flexible 2D Material Devices

〇YihRen Chang1, Yoshiaki Hattori1, Masatoshi Kitamura1 (1.Kobe Univ.)
15:00 〜 15:15

[9p-A33-5]単層TMDCのcontact engineering に向けた新規不揮発性ドーピング

〇大井 浩司1、今枝 佳佑1、堀 修汰1、有留 大河1、森 順哉1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、中埜 彰俊1、竹延 大志1 (1.名大工、2.NIMS)
15:15 〜 15:30

[9p-A33-6]電解質を用いた単層TMDC/金属界面のcontact engineering

〇(M2)今枝 佳佑1、大井 浩司1、湊川 郁也1、堀 修汰1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、中埜 彰俊1、竹延 大志1 (1.名大工、2.NIMS)
15:30 〜 15:45

[9p-A33-7]PVD-AlN/Si (111) 基板上PVD-WS2 膜

〇(B)嶋 遥太1、伊東 壮真1、野澤 俊輔1、福田 晃貴1、布施 太翔1、松永 尚樹1、星井 拓也1、宗田 伊理也1、角嶋 邦之1、若林 整2 (1.科学大工、2.科学大総合研究院)
15:45 〜 16:00

[9p-A33-8]イオン注入による二硫化モリブデン薄膜のP型/N型制御およびTFT特性

〇土田 正道1、宇井 利昌2、山根 裕也2、安田 圭祐2、曽根崎 悟2、清水 耕作 (1.日大生産工、2.日新イオン機器(株))
16:15 〜 16:30英語発表

[9p-A33-9]Mass and Elastic Effect-Driven Suspended and Non-Suspended MoS2-Based Surface Acoustic Wave Skin Gas Sensors

〇Sankar Ganesh Ramaraj1, Ryo Fujioka1, Chen Li1, Daisuke Kiriya1, Hiroyasu Yamahara1, Hitoshi Tabata1 (1.Univ. of Tokyo)
16:30 〜 16:45

[9p-A33-10]Radical Molecular Interface Engineering for WSe2 Memtransistors towards Neuromorphic Computing

〇(D)劉 慧琴1、Durgadevi Elamaran1、劉 冠廷1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
16:45 〜 17:00英語発表

[9p-A33-11]Charge-Transfer Complex Modulated MoS2 Surface for ppb-Level Acetone Sensing at Room Temperature

〇(D)CHEN LI1, Guanting Liu1, Ramaraj Sankar Ganesh1, Mao Xu1, Hitoshi Tabata1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. Tokyo)
17:00 〜 17:15英語発表

[9p-A33-12]WS2–Amorphous Carbon Heterointerfaces for Humidity-Tolerant Sub-ppb NO2 Sensing

〇(P)Sukhwinder Singh1, Ken Uchida1 (1.Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)
17:15 〜 17:30

[9p-A33-13]TaOx/TaS2ヘテロ構造を用いた抵抗変化メモリの開発

〇金澤 陸磨1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)
17:30 〜 17:45

[9p-A33-14]MoS2電界効果トランジスタの水誘起動作不安定性メカニズムの検討

〇(M2)阪井 大雅1、野内 亮1 (1.大阪公立大院工)
17:45 〜 18:00英語発表

[9p-A33-15]First-Principles Investigation of Irradiation-Induced Mo-Doped TiS2 for Advanced NO2 Gas Detection

〇(DC)SHALINI VARDHAN1, ADITYA KUSHWAHA2, NEERAJ GOEL2, RITU RAJ SINGH2 (1.GCET, GREATER NOIDA, 2.NSUT, DELHI)
18:00 〜 18:15英語発表

[9p-A33-16]A DFT Study of Au-Functionalized MoSe2 via Irradiation for Advanced NO2 Gas Detection

〇(DC)Aditya Kushwaha1, SHALINI VARDHAN2, NEERAJ GOEL1, HARSHIT KUMAR MISHRA3 (1.NSUT, DELHI, 2.GCET, GREATER NOIDA, 3.NXP SEMICOND., NOIDA)
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