講演情報
[9p-A33-7]PVD-AlN/Si (111) 基板上PVD-WS2 膜
〇(B)嶋 遥太1、伊東 壮真1、野澤 俊輔1、福田 晃貴1、布施 太翔1、松永 尚樹1、星井 拓也1、宗田 伊理也1、角嶋 邦之1、若林 整2 (1.科学大工、2.科学大総合研究院)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、WS2、AlN
Si MOSFET の微細化に伴うキャリア移動度の低下を背景に、原子層レベルの薄膜でも高い移動度を維持するTMDC が次世代チャネル材料として注目されている。TMDCは薄膜化により量子井戸効果が増強されるが、界面の欠陥、トラップ準位の影響を強く受けるため良質な界面を形成できる下地材料の選定が重要となる。近年ではスパッタ法によるWS2薄膜の高品質化について研究が進められており、本研究では六方晶構造によりTMDCとの結晶対称性が高く、WS2 との格子定数の近さ、高比誘電率、大きいバンドギャップを併せ持つAlNに着目した。本稿ではスパッタ法によりn型Si (111) 基板上にPVD-AlN 薄膜を形成し、PVD-WS2膜を積層した結果をSiO2 (400 nm)/p-Si基板上に積層したものと比較し報告する。