[9p-B11-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

17:00 〜 17:15

[9p-B11-5] r-GeO₂バルク基板上におけるn型導電性膜の形成と評価

〇川西 健太郎¹、清水 悠吏¹、衣斐 豊祐¹、松田 慎平¹ (1.Patentix株式会社)

キーワード：

ウルトラワイドバンドギャップ、ルチル型二酸化ゲルマニウム