2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-B11-1~11]21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2026年9月9日(水) 16:00 〜 19:00
B11 (工学部 B棟)
座長：太田 優一(富山県立大)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[9p-B11-1]ルチル型GeO2薄膜の高圧固相エピタキシー

〇柴田 敬司1、野田 涼太1、川村 史朗2、遊佐 斉2、宮川 仁2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.物質・材料研究機構)
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16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[9p-B11-2]固相エピタキシー法によるSb添加ルチル型GeO2の合成と電気伝導性評価

〇(M2)大澤 翔平1、花房 宏明2、岡 大地1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理、2.広大院先進理工)
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16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[9p-B11-3]酸化物気相成長法によるGeO2成長における結晶相形成の温度依存性

〇中野 春流1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、森 勇介1 (1.阪大院工)
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16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[9p-B11-4]水素プラズマ処理によるルチル型GeO2への水素添加とイオン伝導性

〇鈴木 朝也1、井手 啓介1、片瀬 貴義1,2、平松 秀典1,2、細野 秀雄1、神谷 利夫1 (1.科学大元素、2.科学大フロ研)
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17:00 〜 17:15

[9p-B11-5]r-GeO2バルク基板上におけるn型導電性膜の形成と評価

〇川西 健太郎1、清水 悠吏1、衣斐 豊祐1、松田 慎平1 (1.Patentix株式会社)
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17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[9p-B11-6]格子ミスマッチ制御によるルチル相GeO2の相安定化に関する検討

〇島添 和樹1、加藤 正史1 (1.名工大電気)
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17:45 〜 18:00奨励賞エントリー

[9p-B11-7]ミストCVD法によるr-GeO2(101)薄膜の成長に及ぼす成長温度の影響

〇北 尚生1、清家 一朗1、三宅 裕樹1,2、西中 浩之1 (1.京工繊大、2.ミライズテクノロジーズ)
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18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[9p-B11-8]ミストCVDを用いたSbドープr-GeO2薄膜の導電性制御

〇清家 一朗1、三宅 裕樹1,2、西中 浩之1 (1.京工繊大、2.ミライズ)
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18:15 〜 18:30

[9p-B11-9]サファイア基板上ルチル構造GeO2エピタキシャル成長層の赤外分光法による評価

〇鐘ヶ江 一孝1、北 尚生1、清家 一朗1、西中 浩之1 (1.京都工繊大)
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18:30 〜 18:45

[9p-B11-10](001) TiO2基板上高ドープn型ルチル構造GeO2縦型Schottky障壁ダイオード

〇鐘ヶ江 一孝1、島添 和樹2、清家 一朗1、西中 浩之1 (1.京都工繊大、2.名工大)
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18:45 〜 19:00奨励賞エントリー

[9p-B11-11]n型ルチル構造GeO2エピタキシャル成長層中の電子トラップ

〇鐘ヶ江 一孝1、島添 和樹2、清家 一朗1、北 尚生1、西中 浩之1 (1.京都工繊大、2.名工大)
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