講演情報
[9p-C309-3]MBE法によるCsSnI3エピタキシャル薄膜の作製と電子構造評価
〇(M1)藤井 航友1、高城 拓也1、野島 勉2、中村 優男1 (1.東北大理、2.東北大金研)
キーワード：
ペロブスカイト、エピタキシャル薄膜
ハライドペロブスカイトCsSnI3は、優れた光電変換効率と欠陥寛容性、高いキャリア移動度を有するため次世代太陽電池材料として注目されている。またヨウ素由来の強いスピン軌道相互作用が期待され、量子ホール状態や非従来型超伝導といった現象の実現に適した物質である。本講演では、分子線エピタキシー法を用いてBaF2基板上にCsSnI3の高品質エピタキシャル薄膜を作製し、その評価を行った結果について報告する。