講演情報
[9p-C309-7]磁気反射率分光を用いた強誘電体CsGeI3における光キャリア特性の評価
〇藤川 紘晃1、Yang Zhuo1、厳 正輝1、大熊 隆太郎1、五月女 真人2、岡本 佳比古1、近藤 高志2、宮田 敦彦1、小濱 芳允1 (1.東大物性研、2.東大工)
キーワード：
Ge系ハライドペロブスカイト、光キャリア特性、磁気光学分光
強誘電性を持つことで注目されているハライドペロブスカイト半導体CsGeI3について、1 mm2の結晶面を持つ単結晶の育成に成功し、その単結晶について60 T以下の強磁場下で磁気反射率分光を行った。反射率スペクトルの磁場変化を解析することでCsGeI3における自由キャリア、励起子、ポーラロンの特性について調査した。