講演情報
[9p-C309-8]強誘電ハライドペロブスカイトCsGeI3薄膜の単一ドメインエンジニアリングとSHG応答
〇山田 朝陽1、高城 拓也1、小川 直毅2、十倉 好紀2,3,4、中村 優男1,2 (1.東北大院理、2.理研 CEMS、3.東大院工、4.東大東京カレッジ)
キーワード：
ハライドペロブスカイト、第二次高調波発生、エピタキシャル薄膜
ペロブスカイト構造をもつゲルマニウムヨウ化物CsGeI₃は擬立方晶構造の〈111〉方向に巨大な自発分極を示す強誘電体であり、優れた非線形光学応答が期待される一方、その分極軸制御は容易ではなかった。本講演では、分子線エピタキシー法を用いて分極軸が面直方向に揃った単一ドメインCsGeI3 (111)薄膜の作製に成功し、それに伴う強い第二次高調波発生を観測したので、その結果について報告する。