講演情報
[9p-C310-12]ZnMgO薄膜の膜厚によるピエゾフォトトロニクス効果への影響
〇野村 光佑1、北川 彩貴1、小林 大造1 (1.立命館大理工学研究科)
キーワード：
ピエゾフォトトロニクス効果、光電変換デバイス、フレキシブルデバイス
ZnMgO薄膜の膜厚がピエゾフォトトロニクス効果に与える影響を調査することを目的とした。RFマグネトロンスパッタで膜厚70・300・500 nmのZnMgO薄膜を作製し、XRDで結晶性を評価後、PET基板上にITO/ZnMgO/Se/MoO₃/Au構造のフレキシブル光変換デバイスを製作した。曲げ試験機で変換効率を計測し、高感度フレキシブル歪みセンサ応用に向けた最適膜厚条件を検討した。