講演情報
[9p-C310-3]TiO2薄膜のスパッタ条件がセレン光電変換デバイスの特性に与える影響
〇中野 北斗1、北川 彩貴1、イエル ザッカリー2、小林 大造1 (1.立命館大院理工学研究科、2.カタルーニャ工科大)
キーワード：
セレン光電変換デバイス、スパッタリング、酸化チタン
本研究室ではセレン光電変換デバイスの高効率化に取り組んでいる。本研究では、スパッタリング成膜時のAr/O2比を変化させTiO2薄膜の結晶構造やバンドギャップなどの諸物性の変化を狙い、TiO2薄膜のスパッタ条件がセレン光電変換デバイスの特性に与える影響を調査した。Tauc plotによって光学的バンドギャップが変化することがわかった。成膜条件を適用したTiO2薄膜を電子輸送層としてデバイスを作製し、変換効率などを評価、比較した。