講演情報
[9p-E204-12]1MVタンデム加速器を用いたSRAMデバイス中の低エネルギー陽子線誘起シングルイベントアップセットの評価
〇(M2)石原 慎太郎1、内田 幸志1、瀧下 十絆1、鈴木 康生1、遠山 翔1、加田 渉1、松山 成男1 (1.東北大工)
キーワード：
シングルイベント効果、低エネルギー陽子、市販デバイス
低軌道ミッションへの市販デバイス（Commercial Off-the-Shelf : COTS）の採用が行われているが、陽子による直接電離シングルイベント効果(Single-Event Effect : SEE)が課題となっている。COTSはプロセス微細化により低線エネルギー付与（Linear Energy Transfer：LET）粒子でもSEEが誘発されるが評価データは不足している。特に低LET領域では断面積が急減し外挿近似が破綻するため、実験的評価が求められる。本研究では1 MVタンデム加速器の低エネルギー陽子により同領域のSEE評価を行った。