講演情報
[9p-E215-1]Cu-Ni合金箔触媒を用いたCVD多層グラフェンの合成及び
光起電力デバイス応用
〇寺岡 真裕1、任 皓駿1 (1.弘大理工)
キーワード：
グラフェン、光起電力デバイス、半導体
Cu-CVDにより作製される単層グラフェンは、その優れた物性から様々な光電子デバイスへの応用が期待されるが、機械的脆弱性や高シート抵抗が課題である。一方、Ni-CVDによる多層グラフェンはこれらの改善が期待されるが、透過率低下や層数制御の難しさが課題となる。本研究では、Cu-Ni合金箔触媒CVDにより作製した多層グラフェンをgraphene/n-Siショットキー接合デバイスへ応用し、電流-電圧特性を評価した結果、明瞭な整流性と光起電力効果を確認した。