セッション詳細
[9p-E215-1~20]17.3 応用技術
2026年9月9日(水) 13:30 〜 18:45
E215 (総合教育棟 E棟)
座長:大野 恭秀(徳島大)、 黄 晋二(青学大)
グラフェンを利用したデバイス応用セッション。前半:光デバイス、発電デバイス、電子デバイス、超伝導デバイス等。後半:メモリデバイス、ガスセンサ、電界効果型トランジスタ、応用を見据えたうえでの積層形成および物性評価等
[9p-E215-2]CVDグラフェン電極を用いた透明EWODデバイス上での接触角測定
〇(M1)松本 峻弥1、青木 志矩馬1、髙木 大司2、白鳥 一幸2、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青学大理工、2.日産自動車株式会社)
[9p-E215-3]グラフェン電極を用いた透明AC-EWODデバイスによる水滴除去
〇(M2)青木 志矩馬1、松本 峻弥1、髙木 大司2、白鳥 一幸2、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青学大理工、2.日産自動車株式会社)
[9p-E215-5]ファンデルワールス強誘電体NbOI2からの高効率テラヘルツ放射
〇半田 岳人1、Huang Chun Ying1、Choe Jeongheon1、Li Yiliu1、Olsen Nick1、Chica Daniel1、Xu David1、Sturm Felix1、McIver James1、Roy Xavier1、Zhu Xiaoyang1 (1.コロンビア大)
[9p-E215-6]グラフェン-流動相界面の温度差が起電力に与える影響
〇西谷 舜1、本田 光裕2、種村 眞幸2、山下 一郎3、小宮 敦樹1、岡田 健1 (1.東北大、2.名工大、3.阪大)
[9p-E215-7]グラフェン-流動相界面における発生電流のゲート電圧依存性
〇南 竣介1、本田 光裕2、種村 眞幸2、山下 一郎3、小宮 敦樹1、岡田 健1 (1.東北大、2.名工大、3.阪大)
[9p-E215-8]トランジスタ応用に向けた単結晶SiH薄膜の剥離・転写技術開発
〇宮本 哲士1、寺田 吏1、石部 貴史1,2、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRIスピン)
[9p-E215-9]膜厚制御可能なSi基板上エピタキシャルCaSi2薄膜の形成方法開発とその熱電特性
〇寺田 吏1、吉崎 高士1、石部 貴史1,2、成瀬 延康3、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.滋賀医大)
[9p-E215-10]グラフェン/MoReジョセフソン接合における高透明コンタクトの構造的起源
〇小倉 宏斗1,2、月舘 悠斗1,2、李 卓群1,2、内海 あずさ2、大塚 朋廣1,2,3、斎藤 光浩4、近藤 隼2,4、井上 和俊2、谷口 尚5、渡邊 賢司5、幾原 雄一2,4,6、加藤 俊顕1,2 (1.東北大院工、2.東北大AIMR、3.東北大通研、4.東大院工、5.NIMS、6.JFCC)
[9p-E215-11]フッ化グラフェンを用いた不揮発性メモリ作製プロセスの開発と電荷捕獲機構の解明
眞下 航平1、川合 遼一1、唐 佳藝2、石川 亮佑1、三谷 祐一郎1、〇野平 博司1 (1.東京都市大学、2.高輝度光科学研究センター)
[9p-E215-12]角度分解HAXPESによるスマネン分子を用いた積層構造の抵抗変化現象観測
〇川合 遼一1、田畑 佳夏1、金 賢俊1、君島 海都1、金子 知隠1、桐原 芳治1、野平 博司1、石川 亮佑1、三谷 祐一郎1 (1.都市大)
[9p-E215-13]Coフタロシアニン修飾グラフェンFETにおけるNO₂の多サイト吸着機構と電気応答特性
〇(M1)村上 潤1、松林 錦1、丸山 実那2、高 燕林2、岡田 晋2、前橋 兼三1 (1.農工大院工、2.筑波大数理)
[9p-E215-15]レーザ誘起グラフェンのマルチスケールランダムネスを利用した電気抵抗トモグラフィ型物理複製困難関数
〇皆川 敬哉1、木村 勇希1、浅原 一冴1、増田 信之1、生野 孝1 (1.東理大先進工)
[9p-E215-17]多層グラフェン/ナノスペーサ積層膜におけるフェルミ準位均一制御に向けたスペーササイズ・密度効果の検証
〇吉田 新之介1、井ノ上 泰輝1、小林 慶裕1,2 (1.阪大院工、2.東洋大)
