講演情報
[9p-E215-12]角度分解HAXPESによるスマネン分子を用いた積層構造の抵抗変化現象観測
〇川合 遼一1、田畑 佳夏1、金 賢俊1、君島 海都1、金子 知隠1、桐原 芳治1、野平 博司1、石川 亮佑1、三谷 祐一郎1 (1.都市大)
キーワード：
スマネン、グラフェン、抵抗変化
スマネンは炭素と水素で構成される椀状の立体的構造を持つ炭化水素分子（C21H12）である。この分子は裏表が反転するBowl反転という特徴を備えている。この分子を2層グラフェン間に挿入すると、椀状構造の反転（ボウル反転）で電荷の再分布が起こることが密度汎関数理論に基づいたシミュレーションで示唆されている。このことから我々は以前からAl/グラフェン/スマネン/グラフェン/n+-Si/ Alの積層構造を作製し、抵抗変化現象を実験的に確認してきた。一方で、この抵抗変化現象の原因は明らかにはなっていない。そこで今回は高抵抗/低抵抗状態をHAXPESの角度分解測定から詳細に調べ、その結果から抵抗変化の物理的メカニズムを議論する。