講演情報
[9p-E215-19]GeH/Ge(111)構造における多重正孔伝導とキャリア濃度変調
〇大友 浩華1、大熊 光1、安武 裕輔1、深津 晋1、上野 和紀1 (1.東大院総合文化)
キーワード：
層状物質、界面伝導、ゲルマナン
GeH/Ge(111)構造における多重正孔伝導の起源解明を目的として、成膜条件の異なる試料の輸送特性を評価した。ホール抵抗およびシート抵抗の多キャリア解析から、移動度の異なる複数の正孔伝導チャネルの存在を確認した。試料作製条件によりキャリア濃度は大きく変化し、低温輸送特性との強い相関が見られた。さらに、低温で抵抗が急増する試料ではキャリアの凍結あるいは局在化が示唆された。