講演情報
[9p-E218-10][第60回講演奨励賞受賞記念講演] 希薄窒化物半導体を用いた電界駆動型円偏光極性変調素子の動作温度特性
〇木瀬 寛都1、峰久 恵輔2、高山 純一1、村山 明宏1、石川 史太郎2、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学、2.北大量子集積)
キーワード：
円偏光、電界効果、希薄窒化物半導体
円偏光を新たな自由度とした情報通信技術を確立するために、高速かつ任意に円偏光極性を変調できる素子が必要とされる。我々は以前、希薄窒化GaNAs量子井戸と希薄窒化GaInNAs量子井戸がそれぞれ左回り・右回り円偏光発光層として設計された二種類の発光層を持つ試料を作製し、電界のみによる室温での円偏光極性の変調を実現したことを報告した。本発表では進展研究として当該素子の動作温度特性について調査した結果を報告する。