講演情報
[9p-E218-14]一軸性の外部歪印加によるEu添加GaNの赤色発光特性の制御
〇樋之口 裕也1、久保 穂高1、森 恵人1、藤原 康文2、小島 一信1、市川 修平1,3 (1.阪大院工、2.立命館大総研、3.阪大電顕センター)
キーワード：
希土類添加半導体、Eu添加GaN、歪 エンジニアリング
単一基板上に同一材料系で広色域RGBマイクロLEDを実現するにあたり、Eu添加GaNを用いた赤色LEDが注目を集めている。各発光中心の発光効率の差異から、赤色LEDのさらなる高輝度化にむけては、GaN:Euの歪エンジニアリングが重要である。そこで本研究では、(0001)サファイア基板上のGaN:Eu薄膜に対し、外部からm軸方向の一軸性歪を印加することで、Euの赤色発光特性の変化を評価した。