[9p-E218-1~16] 13.8 光物性・発光デバイス

15:15 〜 15:30

[9p-E218-8] 分子イオン注入により形成されたSi基板中欠陥準位のPL解析

〇藤田 直希¹、佐々木 駿²、門野 武²、栗田 一成^2,3、福山 敦彦¹ (1.宮崎大工、2.株式会社SUMCO、3.九州大)

キーワード：

発光再結合、PL法、分子イオン注入