講演情報
[9p-E311-17]第一原理計算によるNbAlN混晶の構造安定性および電子構造の理論解析
〇河村 貴宏1、秋山 亨1、菊池 立貢2、黒木 楓太2、小林 篤2、草場 彰3、寒川 義裕3 (1.三重大院工、2.理科大院先進工、3.九大応力研)
キーワード：
第一原理計算、窒化ニオブ、窒化アルミニウム
ワイドギャップ半導体材料であるAlNの高機能化を目的としてAlN系混晶の研究が活発に行われている。近年、超伝導材料であるNbNとの混晶（NbAlN）のエピタキシャル成長が報告され[1]、新たな機能性窒化物材料として注目されている。しかし、その構造安定性や電子状態に関する知見は十分ではない。そこで本研究では第一原理計算を用いてNbAlN混晶の構造安定性および電子状態を解析し、Nb組成が結晶構造および電子構造に及ぼす影響について検討を行った。