セッション詳細
[9p-E311-1~21]CS.7 6.1 強誘電体薄膜、15.4 Ⅲ-Ⅴ族窒化物結晶のコードシェアセッション
2026年9月9日(水) 13:15 〜 19:00
E311 (総合教育棟 E棟)
座長:小林 篤(東理大)、 清水 荘雄(物材機構)、 前田 拓也(東大)、 岡本 一輝(東京科学大)
[9p-E311-1](Al1-xScx)N薄膜における結晶性および強誘電性のSc/(Al+Sc)比および膜厚依存性
〇(D)道古 宗俊1,2、松井 尚子1、入澤 寿和1、恒川 孝二1、岡本 一輝2、舟窪 浩2 (1.キヤノンアネルバ、2.東京科学大)
[9p-E311-2]AlN中間層膜厚を変化させたScAlN/AlN/GaNヘテロ構造の強誘電性評価
〇佐藤 早和紀1、池田 和久1、城谷 光亮2、前田 拓也2、舟窪 浩3、小林 篤1 (1.理科大院先進工、2.東大院工、3.科学大物院)
[9p-E311-4]Lu下地層の導入によるScAlN薄膜の圧電定数の向上
〇平田 研二1、新津 甲大2、Anggraini Sri Ayu1、䕃浦 泰資1、上原 雅人1、山田 浩志1、秋山 守人1 (1.産総研、2.物材機構)
[9p-E311-5]4D-STEMケプストラムマッチングによるScAlN薄膜のミクロ組織解析
〇新津 甲大1、平田 研二2、中澤 克昭1、三石 和貴1、アンガライニ スリアユ2、上原 雅人2、秋山 守人2 (1.物材機構、2.産総研)
[9p-E311-6]スパッタリング法によるシリコン基板上への高Sc濃度ScAlNの製膜
〇上原 雅人1,2、行徳 明1、平田 研二1、新津 甲大3、Anggraini Sri Ayu1、豊田 礼規2、秋山 守人1 (1.産総研、2.九大院、3.物材機構)
[9p-E311-7]RF-MBE法によるGaNテンプレート上へのScAlN成長
〇西 勇人1、前田 琉晴1、多田 悠真1、中本 トラン2、Islam Md.Earul3、藤井 高志3、杉江 隆一1、荒木 努1 (1.立命館大院、2.R-GIRO、3.総合科学技術研)
[9p-E311-9]230 nm遠紫外第二高調波発生に向けたAlN/ScAlN/AlN横型擬似位相整合導波路の設計
〇和田 拓巳1、竹内 祐樹1、施 鳴昊1、上向井 正裕1、片山 竜二1 (1.阪大院工)
[9p-E311-10]強誘電体AlScNの抵抗スイッチングを用いた物理リザバーコンピューティング
〇安岡 功樹1、青木 悠佑1、請関 優1、吉村 武1,2 (1.阪公大院工、2.豊橋技術科学大学)
[9p-E311-11]パッタリング法により作製されたウルツ鉱構造強誘電体薄膜の
スイッチング特性
〇岡本 一輝1、河野 駿平1、道古 宋俊1、阿蘇品 良磨2、大磯 裕也3、影山 壮太郎1、中村 美子1、上原 雅人2,4、吉村 武3,5、神野 伊策6、舟窪 浩1 (1.科学大、2.九州大、3.大阪公立大、4.産総研、5.豊橋技科大、6.神戸大)
[9p-E311-12]Deposition and Ferroelectricity of Boron-doped (Al, Sc)N Thin Films
〇(M2C)PANGSHENG WANG1,2, SHIMIZU TAKAO1,2, FUNAKUBO HIROSHI1 (1.Tokyo Science, 2.NIMS)
[9p-E311-16]GaN上スパッタ成長NbAlN薄膜の構造特性の成長温度依存性
〇黒木 颯太1、辻 心智2、菊池 立貢1、池田 和久1,2、小林 篤1,2 (1.理科大院先進工、2.理科大先進工)
[9p-E311-17]第一原理計算によるNbAlN混晶の構造安定性および電子構造の理論解析
〇河村 貴宏1、秋山 亨1、菊池 立貢2、黒木 楓太2、小林 篤2、草場 彰3、寒川 義裕3 (1.三重大院工、2.理科大院先進工、3.九大応力研)
[9p-E311-21]多能性®中間膜を用いたスパッタ法による高品質GaN薄膜の作製と結晶性評価
〇關 雅志1、木島 健1、高橋 邦方1、木村 勲1、中尾 健人1 (1.株式会社Gaianixx)
