講演情報
[9p-E311-20]PMUTへの応用を目的としたAlN薄膜の自発分極方向の領域選択的制御法の探索
〇浮田 真輔1、勅使河原 明彦1、吉田 慎哉1 (1.芝浦工大)
キーワード：
窒化アルミニウム(AlN)、分極方向、圧電微小超音波トランスデューサ(pMUT)
単一位相電源でのプッシュプル駆動型pMUT実現に向け、Si基板上の自然酸化膜の有無によるAlN薄膜の自発分極反転現象を検証した。逆スパッタで自然酸化膜を除去し連続成膜したAlNは、未処理基板上（+7.0 pC/N）とは逆極性のd33（−6.5 pC/N）を示した。また大気暴露時間の増加に伴い自然酸化膜が再形成され、24時間で結晶反転が消失することを確認した。本成果は領域選択的な分極制御技術の可能性を実証するものである。