講演情報
[9p-F212-16]量子トランスデューサに向けた共鳴励起によるシリコンG中心の観測
〇上牧 瑛1,2、本田 雄真3、権田 陸真3、藤原 太朔3、伊藤 大輔3、関口 雄平1,2,3、竹中 康太1,2,4、小野田 忍1,2,4、小坂 英男1,2,3 (1.横国大IAS、2.横国大QIC、3.横国大院理工、4.QST)
キーワード：
量子トランスデューサ、色中心、シリコンG中心
量子トランスデューサ実現に向け、通信波長帯発光と高い集積性をもつSilicon-on-insulator (SOI) 基板上のシリコン色中心が注目されている。本研究では、Oバンド発光と短い放射寿命を有するG中心（G*中心）をSOI基板上に形成し共鳴励起によって観測した。本講演では、これらの生成過程および光学特性について議論する。