[9p-F212-1~16] KS.2 量子情報工学研究会

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[9p-F212-3] 平面型シリコンMOS二重量子ドットにおけるRF反射測定を用いた
パウリスピンブロッケード内での正孔スピンの緩和時間の評価

〇(M1)坂井 雄¹、Sayyid Irsyadul Ibad¹、海老澤 賢太¹、佐藤 優介¹、柳 至²、峰 利之²、土屋 龍太²、久本 大²、水野 弘之²、太田 俊輔¹、小寺 哲夫¹ (1.東京科学大、2.日立研開)

キーワード：

量子ドット、シリコン

正孔スピンが持つ強いスピン軌道相互作用はパウリスピンブロッケード（PSB）領域において比較的短いスピン緩和時間をもたらすことが知られており、高忠実度なスピン読み出しのためにはPSB領域におけるスピン緩和時間の延長が課題である。
本研究では産業用300 mm CMOSプロセスにより作製された平面p型シリコン量子ドットを用いてPSB緩和時間のドット間トンネル結合への依存性を測定した。