[9p-N101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:45 〜 17:00

[9p-N101-12] Ⅲ族窒化物半導体の結晶多形におけるドーピング傾向の評価

〇河島 龍¹、水野 斎¹、松本 公久¹、太田 優一¹ (1.富山県立大)

キーワード：

窒化物半導体、第一原理計算