セッション詳細

[9p-N101-1~16]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年9月9日(水) 13:30 〜 18:00
N101 (総合教育棟 N棟)

[9p-N101-1]高効率深紫外LEDに向けたマルチショットLLOによる基板剥離

〇久保 太哉1、三浦 聖央1、廣田 晴大1、藤田 麻里奈1、高瀬 健太1、北村 友佑1、林 俊宏1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、齋藤 義樹1,2 (1.名城大理工、2.豊田合成)

[9p-N101-2]Far-UVC LEDの通電に伴うIQE・CIE変化のABCモデルによる推定

〇赤池 良太1,2、鈴木 彩斗1、安永 弘樹2,3、正直 花奈子1,2、中村 孝夫1,2、三宅 秀人1,2 (1.三重大院工、2.三重大半デセンター、3.三重大研基機構)

[9p-N101-3]異なる成長温度における分極ドープ組成傾斜AlGaNの電気的特性評価

〇廣田 晴大1、竹久 哲平1、藤田 麻里奈1、北村 友佑1、林 俊宏1、高瀨 健太1、久保 太哉1、齋藤 義樹2、秩父 重英3、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1 (1.名城大学・理工、2.豊田合成株式会社、3.東北大多元研)

[9p-N101-4]高AlNモル分率AlGaN混晶の室温発光寿命と空孔型欠陥に関する考察

〇秩父 重英1、菅野 杜之1、竹久 哲平2、廣田 晴大2、齋藤 義樹3、上殿 明良4、竹内 哲也2 (1.東北大多元研、2.名城大理工、3.豊田合成、4.筑波大数物)

[9p-N101-5]組成傾斜層導入による高Al組成AlGaNへのオーミック接触形成

〇安藤 陸1、赤池 良太1,2、安永 弘樹2,3、前田 就彦4、三宅 秀人1,2 (1.三重大 院工、2.半導体・デジタル未来創造センター、3.研究基盤推進機構、4.東京工科大学)

[9p-N101-6]Naフラックス法における電気抵抗測定を用いたGa-Na融液中酸素量の温度依存性調査

〇上田 侃1、今西 正幸1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

[9p-N101-7]酸素不純物誘起ファセット成長によるNaフラックスGaN結晶のインクルージョン抑制

〇西尾 元1、今西 正幸1、東山 律子1、植田 光寿1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

[9p-N101-8]OVPE法を用いたN極性面へのGaN成長による貫通大ピット低減

〇若佐 拓1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、丸山 美帆子1、吉村 政志2、岡山 芳央3、滝野 淳一3、隅 智亮3、秦 雅彦4、伊勢村 雅士5、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研、3.パナソニックホールディングス(株)、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)

[9p-N101-9]酸性アモノサーマル法による半絶縁性ZnドープGaNの実現

〇石鍋 隆幸1、廣澤 拓哉1、髙橋 達也1、鏡谷 勇二1、磯 憲司1,2、泉沢 悟1 (1.三菱ケミカル株式会社、2.名古屋大学)

[9p-N101-10]石英フリーHVPE法で成長したp型GaN

〇金木 奨太1、市川 磨1、藤倉 序章1 (1.住友化学)

[9p-N101-11]HVPE法を用いたp-GaN/UID-GaN多層構造におけるMg濃度プロファイルのMg濃度依存性の検討

〇西脇 千裕1、藤元 直樹2、田中 敦之2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

[9p-N101-12]Ⅲ族窒化物半導体の結晶多形におけるドーピング傾向の評価

〇河島 龍1、水野 斎1、松本 公久1、太田 優一1 (1.富山県立大)

[9p-N101-13]高圧熱処理による高濃度MgドープGaNの活性化

〇金武 凜樹1、川村 史朗2、宮川 仁2、遊佐 斉2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.物材機構)

[9p-N101-14]深紫外光透過性p型オーミックコンタクト層の実現に向けたp-AlGaNにおけるマグネシウムアニールプロセスの開発

〇陸 順1、柴田 一翔2、久志本 真希2、出来 真斗3、本田 善央1,3,4、天野 浩1,3,4 (1.名大IMaSS、2.名大院工、3.名大D-center、4.名大高等研究院)

[9p-N101-15]X線トポグラフィ像と深層学習を用いたGaN基板中貫通転位の自動分類

〇生川 龍也1、大西 一生1、姚 永昭1 (1.三重大工)

[9p-N101-16]窒化物系赤色LEDの高効率化に向けた低温成長p-GaN上のコンタクト特性評価

〇大場 勇輝1、二宮 立輝1、榊原 愛1、木下 実乃里1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、丹羽 一将2、鈴木 敦志2 (1.名城大学、2.E&E エボリューション(株))