[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-22] フラックス法によるバルクGeO2の成長とその光学特性

〇島添 和樹¹、加藤 正史¹ (1.名工大電気)

キーワード：

二酸化ゲルマニウム、GeO2、フラックス

次世代パワー半導体材料として期待されるr-GeO₂の欠陥構造解明を目的として、フラックス法によりGeO₂結晶を成長し、その光学特性を評価した。得られた結晶はα石英相およびα石英相・ルチル相が共存する結晶に大別された。α石英相結晶では2.3 eV付近の緑色PL発光が観測され、バンドギャップ内準位の存在が示唆された。α石英相・ルチル相が共存する結晶では発光領域と非発光領域が確認され、結晶構造に由来する可能性がある。