セッション詳細

[9p-PA1-1~52]21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2026年9月9日(水) 14:00 〜 15:30
PA1 (第1体育館)

[9p-PA1-1]静電スプレー堆積(ESD)法により堆積したNixZn(1-x)O混晶の層構造に依存した特性制御に向けた検討

〇田中 哉多1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)

[9p-PA1-2]Effects of Thermal Pressing Temperature on Electrical Conduction in Undoped and Nitrogen-Doped ZnO Nanoparticle Layers

〇(D)Shrestha Dey Monty1, Toshiyuki Yoshida1, Yasuhisa Fujita1,2 (1.Shimane University, 2.S-Nanotech Co-Creation Co., Ltd.)

[9p-PA1-3]Novel “Electrostatic Spray Deposition (ESD)” method to employ NiO thin films growth

〇Ibna Fysol1,2,3、Sugiyama Mutsumi1 (1.東京理科大学 理工学部 電気工学科、 千葉県野田市山崎2641、2.バングラデシュ、ダッカ県サバール郡ビルリア、カガン、シティ大学、電気電子工学科、郵便番号1340、3.100 バングラデシュ、ダッカ県サバール郡ビルリア、カガン、シティ大学、理工学部、郵便番号1340)

[9p-PA1-4]ガラス基板上多結晶β-Ga2O3薄膜の作製と深紫外光検出特性

〇三輪 拓飛1、東条 真吾1、西野 克志1 (1.徳島大学大学院)

[9p-PA1-5]ナノ粒子分散半導体薄膜のミストCVDにおける原料溶液のナノ粒子分散制御

〇谷川 莉央1、氏家 丈斗1、斎藤 日菜1、光野 徹也1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大学総研、2.静岡大光医工、3.静岡大電研)

[9p-PA1-6]ミストCVD法 Snドープα-Ga2O3成長におけるHClの影響

〇西尾 宗真1、飯田 隆真1、石川 治樹1、中鉢 陽向1、照喜名 朝人1、太田 知諭1、相川 慎也1、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大)

[9p-PA1-7]ギ酸を含む原料溶液を用いたミストCVD法によるSnOx薄膜成長

〇田村 駿介1、飯塚 太郎1、石川 治樹1、相川 慎也1、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大)

[9p-PA1-8]結晶方位の異なるSi基板上に成長させたSnO薄膜の評価

〇辛 佳和1、池田 琉晟1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[9p-PA1-9]ミストCVD法による(Zn,Mg)OおよびGa2O3成膜における酢酸添加の影響

〇氏家 丈斗1、斉藤 日菜1、谷川 莉央1、光野 徹也1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大総研、2.静岡大光医工、3.静岡大電研)

[9p-PA1-10]ミストCVD法により作製したα-Ga2O3厚膜のラマン分光

〇(M2)永所 康太朗1、大辻 颯太1、増野 敦信1、金子 健太郎2、田中 勝久1 (1.京大院工、2.立命館大総研)

[9p-PA1-11]QCMによるAu, Cu基板上でのミストCVDアモルファスTiOx成膜初期のその場診断

〇白井 肇1、小林 史弥2、栗原 英紀3、山本 孔明4、何 海燕4、佐藤 知正2、松木 伸行2、大野 俊典4 (1.埼玉大学理工研、2.神奈川大工研、3.埼玉県産業技術総合センター、4.天谷製作所)

[9p-PA1-12]断面SEM EDX解析に基づくミストCVD前駆体の有効付着係数評価

〇白井 肇1,2、山本 孔明4、何 海燕4、栗原 英紀3、小林 史弥2、曽根 宏隆1、大野 俊典4 (1.埼玉大学理工研、2.神奈川大工研、3.埼玉県産業技術総合センター、4.天谷製作所)

[9p-PA1-13]サファイア基板上Zn1-xMgxO薄膜のスパッタエピタキシー:膜厚制御された3D-MgOバッファ層の効果

〇大津山 裕生1、野口 響1、Sutadharma Jocelyn1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九大シ情)

[9p-PA1-14]サファイア基板上Zn1-xMgxO薄膜のスパッタエピタキシー:ウルツ鉱型MgOバッファ/ZnO中間層による複合界面設計

〇(M2)野口 響生1、大津山 裕生1、鎌滝 晋礼1、奥村 賢直1、古閑 一憲1、木山 治樹1、板垣 奈穂1 (1.九大シ情)

[9p-PA1-16]仕込み濃度の異なる原料を用いてミストCVDで作製したIGZO薄膜の特性

〇渡邉 千晶1、大橋 亮介2、Hassan Sohaib2、Su Htet2、川原村 敏幸1,2,3 (1.高知工科大シス工、2.院工学研究科、3.総研)

[9p-PA1-17]ミストCVDによるPdCoOx薄膜の作製

〇吉田 龍馬1、森岡 侑哉1、水本 圭2、大橋 亮介2、Hassan Sohaib2、Su Htet2、川原村 敏幸1,2,3 (1.高知工大シス工、2.院工学研究科、3.総研)

[9p-PA1-18]ミストCVD法でc面サファイア基板上に成膜したGaOx薄膜の結晶化挙動と光学特性の成膜温度・PDA温度依存性

〇(B)中嶋 颯良1、山崎 伊織1、榎 駿介1、西川 未咲1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大)

[9p-PA1-19]HVPE成膜β-Ga2O3ホモエピ膜のUV/O3処理による欠陥準位の挙動解析

〇中野 由崇1、勝部 大樹2、小川 貴史2、石川 由加里2、佐々木 公平3、倉又 朗人3 (1.中部大工、2.ファインセラミックスセンター、3.ノベルクリスタルテクノロジー)

[9p-PA1-20]放射光X線トポグラフィーによるβ-Ga2O3 EFG法基板上HVPEエピ成長層の転位伝播挙動解析

〇(M1)池田 侑陽1、姚 永昭1,2、勝部 大樹2、石川 由加里2 (1.三重大、2.JFCC)

[9p-PA1-21]岩塩構造MgZnOのバンド端発光におけるPL寿命の温度依存性

〇五十嵐 慧1、根本 亮佑1、田中 恭輔1、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大)

[9p-PA1-22]フラックス法によるバルクGeO2の成長とその光学特性

〇島添 和樹1、加藤 正史1 (1.名工大電気)

[9p-PA1-23]電気泳動法によるp型ZnOナノ粒子の分離

〇星島 大輝1、吉田 俊幸1、藤田 恭久1,2 (1.島根大学自然科学、2.㈱SNCC)

[9p-PA1-24]FIB加工により生じたb-Ga2O3基板損傷領域の構造解析

〇林 将平1、橋本 愛1、川崎 直彦1 (1.東レリサーチセンター)

[9p-PA1-25]電解水を用いたβ-Ga2O3の溶解挙動の評価

〇大塚 葵衣1、塚田 太郎1、太子 敏則1 (1.信大工)

[9p-PA1-26]ミストCVD法により作製したNiO薄膜の構造および化学状態評価

〇(M2)聶 恩農1、応 松岳1、松田 時宜1 (1.近大総理)

[9p-PA1-27]Ga2O3の相界面に関する第一原理計算

〇奈良 純1、籾田 浩義1,2、山崎 隆浩1,2 (1.NIMS-MANA、2.阪大院工)

[9p-PA1-28]トリエトキシカプリリルシラン修飾酸化亜鉛ナノ粒子の光学特性評価 および化粧品応用に向けた基礎検討

〇畑中 菜々美1、柏木 瑞貴1、川崎 由起2、藤田 恭久1 (1.島根大自然科学、2.AND Z)

[9p-PA1-29]ガラス基板上に室温成膜した ZnO(N) シード層の ZnO:Al 膜への効果

〇和田 義晴1、白谷 正治1 (1.九大シス情)

[9p-PA1-30]H2, O2および水蒸気導入スパッタによるIn-B-O透明導電膜の膜密度と柔軟性の相関評価

〇石上 柊佑1、矢崎 結也1、松藤 由磨1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[9p-PA1-31]Zn添加AZO透明導電膜におけるAl添加量依存性

〇鹿野 サファ1 (1.島根大自然)

[9p-PA1-32]非加熱処理によるアモルファスIGZO TFTのPBS特性改善

〇中村 光我1、石原 洸1、辛 佳和1、相川 慎也1 (1.工学院大学)

[9p-PA1-33]SiO2/Y2O3積層パッシベーションによる室温形成a-IGZO TFTの閾値電圧制御

〇石原 洸1、中村 光我1、矢崎 結也1、相川 慎也1 (1.工学院大学)

[9p-PA1-34]静電スプレー堆積(ESD)を用いたフレキシブルCO2ガスセンサの試作と室温動作に向けた検討

〇井上 雅斗1、関村 陸斗1、柴田 圭亮1、田中 哉多1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)

[9p-PA1-35]水蒸気導入スパッタリング法により優先成長させた極性(100)面TFT型CO2ガスセンサーの作製と評価

〇(M1)酒井 智弘1、海老澤 雄一朗1、Shin Jeongmin2、車 振赫2、山口 智広1、相川 慎也1 (1.工学院大工、2.全南大工)

[9p-PA1-36]2.4 GHzレクテナに向けたフレキシブル透明酸化物アンテナの試作

〇(M1)松藤 由磨1、矢崎 結也1、石上 柊佑1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[9p-PA1-37]真空紫外エキシマ光支援溶液プロセスにおける熱処理温度が多結晶In2O3 TFTの伝達特性に及ぼす影響

〇(M2)上田 一輝1、大谷 龍之介1、藤元 章1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、清水 昭宏2、前元 利彦1 (1.大阪工大、2.ウシオ電機株式会社)

[9p-PA1-38]エキシマ光アシスト溶液プロセスによるInAlxOy酸化物薄膜の作製と結晶性制御

〇(M1)大谷 龍之介1、上田 一輝1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、清水 昭宏2、前元 利彦1 (1.大阪工大、2.ウシオ電機株式会社)

[9p-PA1-39]ミストCVD成長β-Ga2O3を用いたMESFETによる2.59 GHz発振器

池田 光1、若松 岳1、安藤 裕二2、高橋 英匡2、牧迫 隆太郎2、上田 哲三3、須田 淳2、田中 勝久1、〇藤田 静雄1、菅谷 英生3 (1.京大、2.名大、3.パナソニック)

[9p-PA1-40]極薄In2O3チャネルを用いた 酸化物積層薄膜トランジスタの作製と特性評価

〇(M2)高田 直希1、藤元 章1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大)

[9p-PA1-41]ZnMgO/ZnO構造に基づく低電圧動作防護素子の膜厚依存性:動作開始電圧と静電容量制御

〇辻本 義将1、奥田 孝1、近藤 憲亮1、東條 孝俊1、塚本 直之1 (1.音羽電機工業㈱)

[9p-PA1-42]酸化物ネットワークを用いた物理リザバーデバイスの製作と非線形応答評価

〇アヌマカ ジェラード 知以磨1、牧島 唯斗1、笠間 祐樹1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[9p-PA1-43]高感度CO2検知に向けたIn2O3 TFT型ガスセンサーの極性表面制御

〇(M2)海老澤 雄一朗1、石川 治樹1、酒井 智弘1、Shin Jeongmin2、車 振赫2、山口 智広1、相川 慎也1 (1.工学院大、2.全南大)

[9p-PA1-44]大気圧化学堆積法によって成長したZnO,β-Ga2O3およびZnGa2O4ナノ構造のUV光検出特性

〇寺迫 智昭1、安藤 稜平1、堀内 理央1、山田 知哉1、矢木 正和2 (1.愛媛大院理工、2.香川高専)

[9p-PA1-45]Ga-Sn-Oを用いたMSM型紫外線センサのアニール温度依存性

〇(M1)中田 聖也1、松田 時宜1 (1.近大総理)

[9p-PA1-46]湿式エッチング法を用いたβ型Ga2O3 (011)面結晶のエッチピット評価

〇佐藤 功二1、勝部 大樹1、姚 永昭1,2、清水 真紀1、山口 博隆1、石川 由加里1 (1.JFCC、2.三重大)

[9p-PA1-47]両極性ワイドギャップ半導体γ-GeO2のTSFZ法による単結晶育成に向けた相安定性の検討

〇石井 朝陽1、八巻 和宏1、入江 晃亘1 (1.宇都宮大工)

[9p-PA1-48]β-Ga2O3単結晶の低温合成に向けた新規ソルベントの探索

〇高坂 友翔1、飯塚 啓人1、八巻 和宏1、入江 晃亘1 (1.宇都宮大工)

[9p-PA1-49]酸化ガリウム多結晶粉末を用いたミストCVD法によるα-Ga2O3成膜および不純物評価

〇(M1)照喜名 朝人1、飯田 隆真1、西尾 宗真1、中鉢 陽向1、本田 徹1、尾沼 猛儀1、山口 智広1 (1.工学院大)

[9p-PA1-50]Mist-CVD Growth of Hf-Based Gate Dielectric Films on Graphene

〇(M1)Toshiki Hayashi1, Abdul Kuddus2, Keiji Ueno3, Hong En Lim3, Hajime Shirai3,4, Shinichiro Mouri1 (1.Ritsumeikan Univ., 2.R-GIRO, 3.Saitama Univ., 4.Kanagawa Univ.)

[9p-PA1-51]吸光源を用いたFZ法によるβ-Ga2O3単結晶の育成

〇平戸 理久1、八巻 和宏1、入江 晃亘1 (1.宇都宮大工)

[9p-PA1-52]低温アニール処理がフレキシブルNiO/ZnOダイオードの欠陥特性に及ぼす影響

〇松井 太吾1、植田 かな1,3、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研、3.学振特別研究員DC)