[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-48] β-Ga₂O₃単結晶の低温合成に向けた新規ソルベントの探索

〇高坂 友翔¹、飯塚 啓人¹、八巻 和宏¹、入江 晃亘¹ (1.宇都宮大工)

キーワード：

ワイドギャップ半導体、単結晶、TSFZ法